Infared materials 瓦冷卻光敏紅外探測(cè)器 - Pbse3
在1–5.5um波段響應(yīng)迅速、靈敏度超高
產(chǎn)品介紹
Infared materials 瓦冷卻光敏紅外探測(cè)器 描述：
在1–5.5um波段響應(yīng)迅速、靈敏度超高的TE冷卻紅外探測(cè)器
Infared materials 瓦冷卻光敏紅外探測(cè)器 參數(shù)：
|
環(huán)境溫度: |
+25°C |
|
探測(cè)器工作溫度 |
見以下型號(hào) |
|
處于或接近較大冷卻時(shí)的冷卻器的典型功率 |
1.8 volts @ 1.2 amps |
|
標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格— — 電氣 |
所有探測(cè)器規(guī)格均說明，探測(cè)器中電極之間均為偏壓35 V/mm的距離，并由一個(gè)1兆歐的負(fù)載電阻串聯(lián)。 散熱器在+25°C，處于或接近較大冷卻時(shí)，所有規(guī)格均適用。 |
|
|
較小 |
典型 |
較大 |
單位 |
|
響應(yīng)較大的波長(zhǎng) |
4.3 |
4.5 |
|
μm |
|
D*(λpk, 630 Hz, 1 Hz) |
2.0 x 10 10 |
3.5 x 10 10 |
|
ccm Hz 1/2 w -1 |
|
元件電阻(Dark) |
1.0 |
6.0 |
20.0 |
MegOhm |
|
時(shí)間常數(shù)(非一般測(cè)量) |
|
9 |
20 |
μsec |
|
額定元件溫度 |
|
|
+85 |
°C |
|
處于或接近較大冷卻時(shí)的時(shí)間差 |
|
見下文 |
|
°C |
Infared materials 瓦冷卻光敏紅外探測(cè)器選型：
使用下表時(shí)，去掉插入語，在空格處插入適當(dāng)包裝類型的名稱。例：6for TO-66, 8 for TO-8
|
型號(hào) |
元件尺寸(mm) |
響應(yīng)(l pk , 630) v/w |
工作溫度 |
標(biāo)準(zhǔn)包裝選項(xiàng) |
|
|
較小 |
典型值 |
||||
|
B1-( )C4T |
1 x 1 |
126,000 |
190,000 |
-50°C |
TO-66, TO-8 |
|
B2-( )C4T |
2 x 2 |
63,000 |
95,000 |
-50°C |
TO-66, TO-8 |
|
B3-( )C4T |
3 x 3 |
38,000 |
56,000 |
-45°C |
TO-66, TO-8 |
|
B6-( )C2T |
6 x 6 |
18,000 |
27,000 |
-25°C |
TO-66, TO-8 |
|
Minimum D*(l pk , 1050, 1) >1.5 x 10 10 cm Hz 1/2 w -1 |
|||||
要為所有TE冷卻探測(cè)器指定熱敏電阻選項(xiàng)，請(qǐng)將后綴-T或-TC (calibrated)加到型號(hào)上。
ISweek 工采網(wǎng)的所有產(chǎn)品均來自于原始生產(chǎn)廠商直接供貨，非第三方轉(zhuǎn)售。
